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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
22.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.3
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
3,510.5
22.3
写入速度,GB/s
1,423.3
16.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3697
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
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