RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
73
Wokół strony -192% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3731
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link