RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
73
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2227
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link