RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
73
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3017
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link