RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
73
Около -181% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3017
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link