RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
73
Wokół strony -265% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3395
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link