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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
73
左右 -265% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
20
读取速度,GB/s
3,510.5
19.4
写入速度,GB/s
1,423.3
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3395
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
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