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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
29
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
20
读取速度,GB/s
16.9
19.4
写入速度,GB/s
12.0
15.0
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3395
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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