RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
73
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2725
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link