RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
73
Autour de -170% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2725
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link