RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2921
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link