RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
119
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
1.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
119
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
1.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
2.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
447
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link