RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
50
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3518
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link