RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
50
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3518
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link