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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Confronto
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
50
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
10.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
37
Velocità di lettura, GB/s
15.3
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2512
3518
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
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Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
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