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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
AMD R9S48G3206U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R9S48G3206U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
50
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
37
读取速度,GB/s
15.3
20.6
写入速度,GB/s
10.9
13.9
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3518
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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