RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
73
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2609
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link