RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
73
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2609
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
UMAX Technology 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link