RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
73
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2720
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link