RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
73
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2665
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link