RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
73
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2665
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link