RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
33
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
31
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3168
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link