RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3168
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link