RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
33
Autour de -6% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
31
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
3168
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link