RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
73
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3355
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
UMAX Technology 16GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link