Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 19.5

Среднее значение в тестах

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 73

Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.4 1,423.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 5300

Около 4.83 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 37
Скорость чтения, Гб/сек

3,510.5 19.5
Скорость записи, Гб/сек

1,423.3 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 25600

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

476 3355

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB

Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Kingston 9905711-002.A00G 4GB

Kingston 9905711-002.A00G 4GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Kingston 9905701-006.A00G 16GB

Kingston 9905701-006.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB

Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM