RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3611
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link