RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2660
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link