RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2660
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link