RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
96
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
96
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
1211
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link