RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
73
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
43
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2615
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link