RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
34
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
34
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2583
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73CB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link