RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
73
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2163
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link