RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
73
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2625
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link