RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
76
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
76
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1718
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link