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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
76
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
2,066.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
76
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
1718
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston TCM633-QAC 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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