RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
76
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
76
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
14.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
1718
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link