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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
76
Por volta de 36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
76
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
7.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
1718
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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