RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
73
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
43
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2058
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GL1600D364L10/8G 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link