RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Super Talent F24EA8GS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Super Talent F24EA8GS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
92
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Super Talent F24EA8GS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
92
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
1776
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link