RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
73
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2581
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link