RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
73
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2581
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QHY-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link