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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
73
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
10.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2581
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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