RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
73
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3145
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link