RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3156
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link