RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
69
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3646
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link