RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3456
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link