RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3583
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link