RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
69
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2959
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link