RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3645
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link