RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
69
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3405
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link