RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
69
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3120
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link