RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3687
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link